V poslední době učinili fakulta a studenti z Institutu pevnolátkového laseru a ultrarychlé fotoniky, Institutu laserového inženýrství, Fakulty fyziky a optoelektronického inženýrství významný pokrok ve studiu dynamiky ultrarychlých nosičů optoelektronických funkčních krystalů a související výsledky výzkumu jsou shrnuto v článku "Dynamika anizotropních nosičů a laserem vytvořené luminiscenční obrazce na orientovaném monokrystalu". Výsledky výzkumu jsou publikovány online v Nature Communications pod názvem „Anisotropní dynamika nosičů a laserem vyrobené luminiscenční vzory na orientovaných monokrystalických perovskitových waferech“, což má velký význam při podpoře praktické aplikace funkčních krystalů v oblasti fotovoltaiky.
Prvním autorem příspěvku je Ge Chao, vědecký pracovník School of Physics and Optoelectronic Engineering, a Li Yachao, doktorand na School of Physics and Optoelectronic Engineering, zatímco Ge Chao, pomocný vědecký pracovník a Song Haiying, přidružený vědecký pracovník VUT, a Zhang Wenkai, profesor Beijing Normal University, a Liu Yang, profesor Shandong University, jsou spoluodpovídajícími autory. Tento výzkum byl podporován Národní nadací pro přírodní vědy Číny a Programem vědeckého výzkumu pekingské městské vzdělávací komise.
V posledních letech přitahují velkou pozornost chalkogenidové materiály a jejich aplikace v optoelektronice. Stále však chybí hloubkové pochopení jejich anizotropního chování v dynamice ultrarychlých nosičů. Aby zaplnil tuto mezeru, výzkumný tým poprvé odhalil na pikosekundovém časovém měřítku vývoj anizotropní dynamiky fotobuzených nosičů polarizovaných uvnitř a mezi krystalickými rovinami s různými orientacemi, založený na vysoce kvalitních, odlišně orientovaných MAPbBr3 monokrystalické destičky. Tento objev poskytuje hloubkové pochopení relaxačních drah ultrarychlých nosičů z krystalografického hlediska, což má velký význam pro zkoumání a rozšiřování aplikací monokrystalů chalkogenidu v oblasti ultrarychlé optoelektroniky, jako jsou optické modulátory, vysoké -rychlostní optické polarizační senzory a balistické tranzistory.
Kromě toho, použitím femtosekundového laserového dvoufotonového zpracování, výzkumný tým úspěšně připravil tři řády fluorescenčně zesílené luminiscenční vzory. Mechanismus zesílení fluorescence za ním byl hluboce analyzován z vícerozměrné prostorové (objemové a mikro/nano stupnice) a časové (ustálený stav a přechodné) perspektivy, což poskytuje pohodlnou strategii shora dolů pro zvýšení intenzity fotoluminiscence objemových krystalů. Tato studie poskytuje hluboké pochopení dynamiky ultrarychlých nosičů MAPbBr3 se zaměřením na krystalografickou perspektivu, od které se očekává, že v budoucnu poskytne více vodítek pro orientačně selektivní využití horkých nosičů chalkogenidu v optoelektronice.
Pokrok ve studiu dynamiky ultrarychlých nosičů v optoelektronických funkčních krystalech na NIT Důležité pro aplikace monokrystalů chalkogenidů
Kinetický vývoj fotoexcitovaných nosičů v (100), (110) a (111) krystalových plochách krystalů MAPbBr3 a mechanismus zesílení fluorescence femtosekundovým laserem.
