9. srpna 2022 prezident Joe Biden oficiálně podepsal zákon o čipech a vědě. V rámci podpory 54,2 miliardy dolarů pro americký polovodičový průmysl zákon také jasně říká, že „dotované společnosti nemohou v Číně a příbuzných zemích provádět významné expanze v oblasti polovodičového průmyslu po dobu deseti let“. Ve stejné době také Spojené státy vytvořily čipovou alianci s dalšími velmocemi polovodičového průmyslu, jako je Jižní Korea, s častými akcemi.
Budoucí vývoj čínských domácích čipů, které nahradí dovážené čipy, se stal samozřejmým, příslušné průmyslové aplikace naléhavě potřebují vývoj. Vodní kapkový laser jako vedoucí a průkopník domácího laserového čištění, ale také v neustálých investicích do nákladů na výzkum a vývoj, aby prozkoumal možnost použití laserového čisticího stroje v průmyslu výroby čipů v naději, že urychlí vývoj čínského polovodiče průmysl, aby udělal svůj kousek.
V průmyslu výroby čipů je čištění polovodičů v celém průmyslu, kroky představují více než 30 procent celkového výrobního procesu, klíčovým procesem ovlivňujícím kvalitu waferů a výkon čipů s tržním prostorem více než 40 miliard. I když v oblasti důležitosti a vybavení není měřítko trhu tak důležité jako litografie a další základní vybavení, ale jako nenahraditelné spojení s výtěžností výroby čipů a ekonomickými výhodami výrobců má zásadní vliv.
V současné době, protože proces výroby čipů neustále zlepšuje úroveň sofistikovanosti, požadavky na kontrolu povrchových kontaminantů plátků se stále zlepšují, po každém kroku litografie, leptání, nanášení a dalších opakujících se procesů je vyžadován postupný proces čištění, je jisté, že proces čištění je nejčastější ze všech procesů a v budoucnu se bude dále zvyšovat.
Když procesní uzel v roce 2018 dosáhne 10nm, požadavky křemíkového plátku na parametry čištění dosáhnou určité výšky: povrchové částice a hustota COP menší než 0,1/c㎡, povrchová kritická hustota kovových prvků menší než 2,5 * 10⁹at / c㎡. V současné době umí pár tuzemských podniků dělat 7nm procesní uzel a stejně jako TSMC, Samsung atd. už umí sériově vyrábět 3nm, v dopadu na 2nm budou požadavky na čištění jen vyšší.
Současné metody čištění waferů jsou ponoření, rotační nástřik, mechanické kartáčování, ultrazvuk, megazvuk, plazma, plynná fáze, paprskový tok atd., hlavně s použitím kombinace mokrého čištění a chemického čištění, mokré čištění je hlavním proudem, ale bude mírné poškození materiálu, jako je generování poškození grafiky, COP (100nm nebo tak dutina) atd., chemické čištění jako čistší technologie čištění v části aplikace výrobní linky, vyhlídky jsou slibnější.
Laserový čisticí stroj jako suché čištění, pro proces výroby oplatek povrchové kontaminace - jako jsou prachové částice, kovy, organické látky, oxidy atd. mají dobrý čisticí účinek a přesnost účinku je lépe kontrolovatelná, ale existuje Už žádné vyspělejší příklady domácích aplikací, kapkový laser pro sdílení našeho povrchu wafer Zpráva o procesu hrubování, doufáme, že budoucnost laserového čištění může být dále zapojena do procesu výroby čipů.
Laserový čisticí stroj jako rozvíjející se technologie průmyslového čištění zatím v Číně nezazněl jako příklad praktického použití ve výrobním procesu waferů. Ale v předběžných testech čištění je vidět, že laserové čištění v oblasti polovodičů je stále slibné, těsně předtím, než nikdo neudělal předběžné technické pokusy. Později prozkoumáme možnost laserového čištění v aplikaci na výrobu čipů, abychom pomohli rozvoji čínského polovodičového průmyslu.
